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机译:SiC升华过程中温度梯度的瞬态数值研究:取决于设备设计
Jürgen Geiser; Olaf Klein; Peter Philip;
机译:各向异性热导率在设备绝缘中对SiC升华生长的影响:传热的数值研究
机译:WIAS-HiTNIHS对SiC单晶升华生长过程中温度场的数值模拟。
机译:(1120)衬底上6H-SiC升华生长的温度依赖性
机译:温度梯度下瞬态液相键合的数值模拟。
机译:用于比较细胞和病毒温度的热电冷却温度梯度仪
机译:各向异性导热率在SiC升华增长的装置绝缘中的影响:传热数值研究
机译:生长温度与升华法生长siC晶体结构的关系
机译:用溶液生长法生产单晶的装置,用溶液生长法生产单晶的装置生产的单晶,和用单晶生长生产的装置的坩埚用的坩埚
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